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近日，中國(guó)電科國(guó)基南方所屬南京國(guó)博電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱國(guó)博公司）研發(fā)的硅基氮化鎵功率放大器芯片，首次在終端射頻領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。
針對(duì)智能移動(dòng)終端對(duì)射頻功率放大器性價(jià)比、可靠性、尺寸的極致要求，國(guó)博公司與國(guó)內(nèi)頭部智能移動(dòng)終端廠商、相關(guān)研發(fā)部門組成聯(lián)合攻關(guān)團(tuán)隊(duì)，協(xié)同攻克了硅基氮化鎵外延的晶格缺陷比例高的材料難題，充分發(fā)揮新型三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在兼顧功率、效率、寬帶等指標(biāo)的前提下，實(shí)現(xiàn)了對(duì)傳統(tǒng)砷化鎵功放的性能提升，并突破硅基氮化鎵功放芯片的量產(chǎn)技術(shù)。該產(chǎn)品具備高功率、高效率、高寬帶特性，可為客戶降低系統(tǒng)鏈路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度，進(jìn)一步提升手機(jī)等終端的數(shù)據(jù)傳輸速度，降低工作能耗。
下一步，國(guó)博公司將持續(xù)優(yōu)化開發(fā)新產(chǎn)品，適配多頻段、高效率終端應(yīng)用場(chǎng)景。同時(shí)，持續(xù)投入硅基氮化鎵功放芯片產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)新型三代半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
